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磁场用氧化钌RO105型温度传感器

 

RO-105氧化钌型温度传感器在磁场环境下有非常优良的性能.

特点:

较宽的温度范围

高重复性

可以在磁场环境下实用

多种多样的封装形式

 

性能特征:

温度范围:2.0K到273K

激励电流:10uA±0.1%

重复性:±20mK@ 4.2K

磁场环境下实用:2T以下环境下无误差

封装形式:SMD, CAP, 圆柱型,线轴-21型,线轴-22型,线轴-25型

温度

阻值

灵敏性

4.2K

205K欧姆

11,060欧姆/K

77K

112K欧姆

162欧姆/K

273K

101K欧姆

18欧姆/K

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